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以下の期間でライブ配信を行ないます。
2026/05/18 10:30 から 2026/05/18 16:30 まで
2026/05/18(月) 10:30
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2026年5月18日 開催
AIデータセンターサーバ用電源ならびに自動車の電動化にむけたパワー半導体デバイスの最新技術動向と今後の展開
【開催にあたって】 2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターサーバ用電源の電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。 この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の普及が期待されている。 さらに、現在踊り場にあると言われている自動車の電動化(xEV)に関しても、その中核部品であるSiCパワー半導体の技術動向が、業界再編の動きを含めて、最近再び注目されてきた。 カギを握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、SiC・GaNパワー半導体デバイスがどのように市場要求へ応えていくかにかかっている。 本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、今後の市場予測を含め、最強のライバルであるシリコンMOSFETやIGBTの動向と対比させながら、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
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なし
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修了証の発行
なし
※「あり」の場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
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提供方法
Zoom配信
講師のプロフィール
講師名
国立大学法人 筑波大学 数理物質系 教授 岩室憲幸 氏
