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2025年3月24日（月）より、クレジットカード決済の手続きに本人認証サービス（3Dセキュア2.0）を導入いたしました。
クレジットカード決済の手続きでは、本人認証サービス（3Dセキュア2.0）に対応しているクレジットカードのみがご利用になれます。

本人認証サービス（3Dセキュア2.0）についての詳細は下記をご覧ください。
https://support.deliveru.jp/faq/docs/309

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2025/05/22(木) 10:30 ON AIR
株式会社AndTech
2025年5月22日開催

リソグラフィ・レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策および最新のロードマップと先端デバイスの動向

リソグラフィの基礎、EUVレジストの詳細を含めたレジストの基礎、トラブル対策と課題、最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について網羅的に解説！
質問OK 初～中級者向け 返金保証
49,500 円(税込)
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6時間0分 詳細へ
2025/05/21 17:00 まで
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視聴期間/スケジュール

以下の期間でライブ配信を行ないます。
2025/05/22 10:30 から 2025/05/22 16:30 まで

イベント概要

★2025年5月22日WEBでオンライン開講。Eリソリサーチ　遠藤氏が、【リソグラフィ・レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策および最新のロードマップと先端デバイスの動向】について解説する講座です。

■注目ポイント

★リソグラフィの基礎、EUVレジストの詳細を含めたレジストの基礎、トラブル対策と課題、最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について網羅的に解説！

カリキュラム/プログラム

【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況（講師より）

★メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっております。

★微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けております。

■注目ポイント

★リソグラフィの基礎、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて解説！

★レジスト／EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説！

★最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について解説！

講座担当：牛田孝平

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫


【時間】 10:30-16:30

【講師】Eリソリサーチ　代表　遠藤　政孝　氏

【講演主旨】

　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップと先端デバイスの動向を解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。


【プログラム】

1．リソグラフィの基礎
　1.1 露光
　1.2 照明方法
　　1.2.1輪帯照明
　1.3 マスク
　　1.3.1 位相シフトマスク
　　1.3.2 光近接効果補正（OPC）
　　1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）

2．レジストの基礎
　2.1 溶解阻害型レジスト
　　2.1.1 g線レジスト
　　2.1.2 i線レジスト
　2.2 化学増幅型レジスト
　　2.2.1 KrFレジスト
　　2.2.2 ArFレジスト
　2.3 ArF液浸レジスト/トップコート
　2.4 EUVレジスト
　　2.4.1 化学増幅型EUVレジスト
　　2.4.2 EUVネガレジストプロセス
　　2.4.3 EUVメタルレジスト
　　2.4.4 EUVメタルドライレジストプロセス

3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
　3.1 レジストパターン形成不良への対応
　　3.1.1 パターン倒れ
　　3.1.2 パターン密着性不良
　　3.1.3 パターン形状不良
　　3.1.4 チップ内のパターン均一性不良
　3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策
　　3.2.1 レジスト材料の安定性
　　3.2.2 パターン形成時の基板からの影響
　　3.2.3 パターン形成時の大気からの影響
　3.3 ArF液浸レジストのトラブル対策
　3.4 ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
　　3.4.1 リソーエッチ（LE）プロセス
　　3.4.2 セルフアラインド（SA）プロセス
　3.5 EUVレジストの課題と対策
　　3.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　3.5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　3.6 自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
　　3.6.1 グラフォエピタキシー
　　3.6.2 ケミカルエピタキシー
　3.7 ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
　　3.7.1 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
　　3.7.2 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ

4．最新のロードマップと先端デバイスの動向

5．レジストの技術展望、市場動向

【質疑応答】


【キーワード】

リソグラフィ、レジスト、EUVレジスト、ダブルパターニング、マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、トラブル対策


【講演のポイント】

リソグラフィ、レジスト/EUVレジストについて、基礎からトラブル対策、最新技術まで把握できます。最新のロードマップに基づいて、デバイス、リソグラフィ技術の動向を把握できます。


【習得できる知識】

１）レジスト/EUVレジストの基礎
２）リソグラフィの基礎
３）レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
４）リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向

詳細

受講対象者の職種/職位
本テーマに関心のあるに携わる研究開発者・技術者・事業担当者
受講レベル
初～中級者向け
※受講レベルについて
受講についての補足
※領収書をご希望の方は、ご購入後にDeliveru（デリバル）にログインをして、領収書をダウンロードしてください。

※当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加でお申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。
2名以上の場合は、ファシオ・セミナー事務局までご連絡ください。
質問方法
セミナー担当 webinar@andtech.co.jp
配布資料
なし
※資料がある場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
修了証の発行
なし
※「あり」の場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
提供方法
Zoom配信

講師のプロフィール

講師名
Eリソリサーチ　 代表　 遠藤　政孝　氏
経歴
1981.3 京都大学工学部石油化学科卒業
1983.3 京都大学大学院工学研究科石油化学専攻修士課程修了
1992.9 大阪大学大学院工学研究科工学博士号取得
1983.4 松下電器産業（株）入社。以来同社中央研究所、半導体研究センター、プロセス開発センター、パナソニック（株）半導体社プロセス開発センターにて、紫外線（436nm、365nm）、電子線（EB）、KrFエキシマレーザ（248nm）、ArFエキシマレーザ（193nm）、ArF液浸を用いた半導体リソグラフィ、レジスト、レジストプロセスの開発に従事。
2009.9 大阪大学産業科学研究所にて、極端紫外線（EUV・13.5nm）を用いたレジスト、レジストプロセスの研究開発に従事。
2024 Eリソリサーチを設立し、リソグラフィ、レジストのコンサルティング、講演、調査活動等を実施。
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