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2025/01/27(月) 13:00 ON AIR
株式会社AndTech

【3か月連続・オンライン学習講座】パワーデバイス入門講座

半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！
質問OK 初～中級者向け 返金保証
60,500 円(税込)
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9時間0分 詳細へ
2025/01/26 17:00 まで
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イベント概要

★2024年1月27日WEBでオンライン開講。元株式会社デンソー　神谷　有弘　氏がパワーデバイスの入門的な内容について解説する講座です。

★【3か月連続・オンライン学習講座】→オンライン(WEB)を使った新感覚のWEB講座＋通信教育サービス！毎月1回、全3回の講座コースでこの料金で受講可能です。

★個別レッスンのようなマンツーマン感覚で講義を見て聴いて理解が深まる企業向けオンライン学習サービス！

★3か月にわたり毎月一回、講師から直接、会話(LIVE)で講義を学べます！

★各回ごとに指導の質問回答および総合質疑後、時間内であれば講師と受講者間での個別・自由議論も行えます！

■注目ポイント

★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！

カリキュラム/プログラム

【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント・全体スケジュール】

■本セミナーの主題および状況

車両をはじめ様々な交通機関の電動化が推進されており、モータの駆動制御が必要であることから、パワーデバイスに注目が集まっている。

■注目ポイント

★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！

■全体スケジュール

第1回　1月27日(月)　13:00～16:00

第2回　2月17日(月)　13:00～16:00

第3回　3月17日(月)　13:00～16:00

講座担当：枩西　洋佑

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫


【時間】 13:00-16:00

【講師】技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)（元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長）　　　神谷　有弘　氏


【講演主旨】

【第1回】半導体と半導体デバイス

第1回では半導体および半導体デバイスに使われる材料やダイオード、トランジスタなどの基礎的な内容について解説する。

【第2回】様々なパワーデバイス

第2回では様々な種類のパワーデバイスの構造や特性を理解していただくように解説する。

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造

第3回ではワイドバンドギャップデバイス(WBG)の特性や構造を解説し、パワーモジュールの実装放熱構造について解説する。

【プログラム】

【第1回】半導体と半導体デバイス
（日時：1月27日(月)　13:00～16:00 、学習時間：3時間）
1.半導体デバイスに使われる材料
　1-1　電気・電子回路に使われる材料
　1-2　導体と絶縁体
　1-3　抵抗率を変化させる
2.原子と電子
　2-1　原子と電子
　2-2　電子のエネルギー準位
　2-3　原子配列と結晶
　2-4　エネルギー準位とエネルギーバンド
3.半導体
　3-1　半導体となる材料
　3-2　結晶中の電子の運動
　3-3　真性・p型・n型半導体
4.ダイオード
　4-1　pn接合
　4-2　ダイオードの動作
　4-3　ダイオードの特性
5.トランジスタ
　5-1　トランジスタの種類　
　5-2　バイポーラトランジスタ
　5-3　JFET
　5-4　MOSFET
　5-5　半導体の製品名
6.演習
【質疑応答】


【第2回】様々なパワーデバイス
（日時：2月17日(月)　13:00～16:00 、学習時間：3時間）
1.ダイオード
　1-1　高耐圧ダイオード
　1-2　ダイオードの高速スイッチング
2.バイポーラトランジスタ
　2-1　縦型トランジスタ
　2-2　高耐圧大電流トランジスタ
　2-3　パワートランジスタの特性
3.MOSFET
　3-1　縦型MOSFET
　3-2　構造と特性
　3-3　低オン抵抗化
　3-4　各種MOSFETの比較
4.サイリスタ
　4-1　基本構造
　4-2　動作
　4-3　特性
5.IGBT
　5-1　構造と動作　
　5-2　出力特性
　5-3　IGBTのラッチアップと対策
　5-4　微細化・薄型化
　5-5　インバータの電力損失の変遷と小型化
　5-6　IGBTの高耐圧化
　5-7　逆導通IGBT
6.演習
【質疑応答】


【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
（日時：3月17日(月)　13:00～16:00、学習時間：3時間）
1.Siからワイドバンドギャップデバイス(WBG)へ
　1-1　各デバイスと耐圧の関係
　1-2　各デバイスの耐圧理論限界
　1-3　ワイドバンドギャップ半導体の物性比較
　1-4　SiCとGaNの構造
2.SiCデバイス
　2-1　pnダイオード
　2-2　SBD
　2-3　SiC SBDの効果
　2-4　オン抵抗を低減させる構造例
　2-5　SiC MOSFETの構造
　2-6　SiC DMOSFET
　2-7　SiC MOSFETの課題と対応例
　2-8　MOSFETの電気特性
　2-9　SiCウェハの歩留り
　2-10　SiCの結晶成長法
　2-11　SiCウェハの加工
　2-12　SiCへの期待
　2-13　電力損失の比較（Siとの比較）
3.GaNデバイスの開発状況
　3-1　GaNデバイスによるパワー素子に期待する理由
　3-2　GaNの横型と縦型の構造
　3-3　GaN HEMTの特徴
　3-4　GaN HEMTの構造例
　3-5　縦型GANの課題
　3-6　GaNの結晶成長法
　3-7　GaNパワーデバイスへの期待
4.パワーモジュールとその実装・放熱構造
　4-1　シリコーンゲル封止とエポキシ樹脂封止
　4-2　パワーデバイスの高放熱化の動き
　4-3　各種冷却構造のモジュール
　4-4　インバータの冷却構造とパワーモジュールの関係
5.演習
【質疑応答】

視聴期間/スケジュール

以下の期間でライブ配信を行ないます。
ライブ配信1：2025/01/27 13:00 から 2025/01/27 16:00 まで
ライブ配信2：2025/02/17 13:00 から 2025/02/17 16:00 まで
ライブ配信3：2025/03/17 13:00 から 2025/03/17 16:00 まで

詳細

受講対象者の職種/職位
本テーマに関心のあるに携わる研究開発者・技術者・事業担当者
受講レベル
初～中級者向け
※受講レベルについて
受講についての補足
※領収書をご希望の方は、ご購入後にDeliveru（デリバル）にログインをして、領収書をダウンロードしてください。

※当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加でお申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。
2名以上の場合は、ファシオ・セミナー事務局までご連絡ください。
質問方法
セミナー担当 webinar@andtech.co.jp
配布資料
なし
※資料がある場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
修了証の発行
なし
※「あり」の場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
提供方法
Zoom配信

講師のプロフィール

講師名
技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)（元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長）　 　　 神谷　有弘　氏
経歴
1983年 現（株）デンソー　入社
現在に至る
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