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2025/06/09(月) 13:30 ON AIR
株式会社AndTech
2025年6月9日開催

AI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術　～最新シリコンパワーデバイスの進展と課題・SiC・GaN・酸化ガリウムの現状と課題、技術ロードマップ～

xEV化およびAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。
質問OK 初～中級者向け 返金保証
45,100 円(税込)
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4時間0分 詳細へ
2025/06/08 17:00 まで
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視聴期間/スケジュール

以下の期間でライブ配信を行ないます。
2025/06/09 13:30 から 2025/06/09 17:30 まで

イベント概要

★2025年6月9日WEBオンライン開講。筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸 氏が、AI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術 ～最新シリコンパワーデバイスの進展と課題・SiC・GaN・酸化ガリウムの現状と課題、技術ロードマップ～ について解説する講座です。

■本講座の注目ポイント

★2025年現在、自動車の電動化（xEV化）の進展に少しブレーキがかかっているようであるが、世界各国の開発の最前線では、その開発に向け大きく進展し続けている。その必要不可欠なxEV化およびAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。

カリキュラム/プログラム

【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況

★xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。



■注目ポイント

★パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向について学習、習得できる！

★シリコンパワー半導体デバイスの強みについて学習、習得できる！

★SiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴と課題について学習、習得できる！

★シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術について学習、習得できる！

★最新実装技術の動向について学習、習得できる！


講座担当：齋藤順

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫


【時間】 13:30-17:30

【講師】筑波大学　数理物質系　教授　岩室　憲幸　氏

【講演主旨】

　2025年現在、自動車の電動化（xEV化）の進展に少しブレーキがかかっているようであるが、世界各国の開発の最前線では、その開発に向け大きく進展し続けている。そしてxEVは、もはや止めることのできない大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、その電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
　これらxEV化ならびにデータセンター内電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。
　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。さらに次々世代パワーデバイスとして期待される酸化ガリウムデバイスについてもわかりやすく解説したい。



【プログラム】

1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-4　SiCウェハ技術の進展
　3-5　なぜ各社はSiC-MOSFETの低オン抵抗化を目指すのか
　3-6 内蔵ダイオード信頼性向上のポイント
　3-7　最新SiC-MOSFET技術

4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　最近のGaN-HEMTパワーデバイス開発トピックス
　4-5　縦型GaNデバイスの動向

5．酸化ガリウムパワーデバイスの開発
　5-1 酸化ガリウムの特徴
　5-2 最近の開発トピックス

6．高温対応実装技術
　6-1　高温動作ができると何がいいのか
　6-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　6-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

【質疑応答】



【キーワード】

xEV・データセンタ向けパワー半導体、シリコンパワーデバイス、SiC/GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、パワーデバイスの性能を引き出すための実装技術



【講演の最大のPRポイント】

xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。



【習得できる知識】

①パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向
②シリコンパワー半導体デバイスの強み
③SiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴と課題
④シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術
⑤最新実装技術の動向

詳細

受講対象者の職種/職位
本テーマに関心のあるに携わる研究開発者・技術者・事業担当者
受講レベル
初～中級者向け
※受講レベルについて
受講についての補足
※領収書をご希望の方は、ご購入後にDeliveru（デリバル）にログインをして、領収書をダウンロードしてください。

※当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加でお申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。
2名以上の場合は、ファシオ・セミナー事務局までご連絡ください。
質問方法
セミナー担当 webinar@andtech.co.jp
配布資料
なし
※資料がある場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
修了証の発行
なし
※「あり」の場合、動画の視聴ページからダウンロードができます。
※視聴期間の終了後はダウンロードできなくなります。
提供方法
Zoom配信

講師のプロフィール

講師名
筑波大学　 数理物質系　教授　 岩室　憲幸　氏
経歴
富士電機㈱入社後　パワー半導体デバイスの研究開発に携わる。主にシリコンIGBTの研究開発、製品化に従事
1992-93年　米国ノースカロライナ州立大学　客員研究員
2009年　産業技術総合研究所にてSiCパワー半導体デバイスの製品開発に従事
2013年4月より現職、現在に至る
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